匀胶机有很多种称谓，英文叫Spin Coater或者Spin Processor，又称甩胶机、匀胶台、旋转涂胶机、旋转涂膜机、旋转涂层机、旋转涂布机、旋转薄膜机、旋转涂覆仪、旋转涂膜仪、匀膜机，总的来说，他们原理都是一样的，即在高速旋转的基片上，滴注各类胶液，利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上，厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同，也和旋转速度及时间有关。适用旋涂材料的尺寸范围型号最小尺寸最大尺寸WS-650-23标配为10 mm可选配到3mm或5mm   6英寸（150mm）直径圆片或5x5英寸（125mm）边长方片WS-650-8标配为10 mm可选配到3mm或5mm   8英寸（200mm）直径圆片或7x7英寸（175mm）边长方片WS-650-15标配为10 mm可选配到3mm或5mm     12英寸（300mm）直径圆片或9x9英寸（225mm）边长方片WS-650-X标配为10 mm可选配到3mm或5mm     可根据用户特殊要求订制设备

小型狭缝涂布仪，针对有机发光二极管（OLED），有机光伏电池（OPV）和薄膜电池等领域使用的专业应用工具。可用的尺寸范围覆盖当前和下一代的基板尺寸，可旋转涂覆各种有机材料涂层。配套提供一个平台和加工组件，材料产量高（> 95%），运行和维护成本低，也适用大批量制造应用方案。

湿法刻蚀又称为湿化学刻蚀法。它主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应将待刻膜层溶解，以达到刻蚀的目的。湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节。

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

纳米压印机应用：过去五年中，石墨烯的气体传感器引起了极大的兴趣，显示出单分子检测。最近的研究表明，与非图案化层相比，石墨烯的图案化强烈地增加了灵敏度。通过标准程序生长CVD石墨烯，然后转移到Si/SiO 2基板上进行进一步处理。如（Mackenzie，2D Materials，[http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述，使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻，将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃，6巴压力下压印10分钟，压力在70℃下释放。通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中，并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率，之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理，同时保持整体低掺杂水平。

光刻胶的前烘与坚膜是微机械加工工艺中不可缺少的两道工序.用于光刻胶烘干的热板对表面温度场分布的均匀性和温度控制稳定性均有较严格的要求.根据您的实际应用选择一款适合的热板：1、经济型： NDK热板   2、确定顶板材质：铝合金（陶瓷保护层）---------NDK热板      阳极氧化铝-------------------EMS热板、 WENESCO热板3、确定热板尺寸：150*150mm-------------EMS热板    250*250mm-------------NDK热板    更大尺寸--------------WENESCO热板4、确定最高温度：最高250℃-------------EMS热板‍、NDK热板          更高------------------WENESCO热板 

快速退火炉(Rapid Thermal Process)是一个简单稳定的热处理系统，适合于广泛尺寸为直径2~12英寸的基片材料和结构的快速热低温退火(RTA)，（如电子级硅、钢铁、玻璃、单晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、锗、超导体、陶瓷等等）。快速退火炉配有一个管状石英反应室或不锈钢腔体，因此可兼容处理长度为300毫米的3 D样片。应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；JetFirst seriesJetLight seriesThree   versions JetFirst 100, 200 and 300One   version version JetLight 50Max   loading capacityJetFirst   100 : up to 100 mmJetFirst   200 : up to 200 mmJetFirst   300 : up to 300 mmMax   loading capacityJetLight   50 : up to 50 mm Cold   wall technology : Stainless Steel reactor with a double wall for water   cooling冷隔板技术：不锈钢的反应仓，带水冷夹层；【好于热隔板技术】Hot   wall technology : Quartz tube reactor热隔板技术：石英反应腔IR   lamp furnace with independent heating zone红外灯独立加热IR   lamp furnace with one heating zone红外灯只有一个加热区Vacuum   capability : in standard (primary and secondary vacuum capability标配真空负压处理（配有初级真空和二级真空模式）Atmospheric   process (upon request possible upgrade for primary vacuum process)常压处理（可升级为初级真空模式）Temperature   sensors : thermocouple and optical pyrometer温度传感器：热偶和光学高温计Temperature   sensor : thermocouple温度传感器：热偶 

紫外固化是用紫外线（UV）来照射液态的“UV照射可硬化的材料”而使它硬化的制程, 我们称之为“UV Curing Process” 。UV固化（UV Curing或UV Coating）是光化学反应.UV固化与传统的干燥过程相似，但原理不同，传统的干燥一般借助于涂敷材料中溶剂的挥发而形成硬化，而UV固化交联则无溶剂挥发。

　　紫外清洗机又名紫外臭氧清洗机，或者UV清洗机，小型的也有叫紫外臭氧清洗仪或者紫外臭氧清洗器，英文名称为NOVASCAN UV OZONE CLEANING SYSTEM。　　光清洗技术的应用范围十分广泛，目前在现代信息技术行业中使用光清洗技术比较普遍，随着我国工业现代化的发展，光清洗和光改质技术还将逐步应用于金属、塑料、橡胶等工业生产领域。

等离子清洗机(plasma cleaner)也叫等离子清洁机，或者等离子表面处理仪，是一种全新的高科技技术，利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果。等离子清洗机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、涂覆、改性、光刻胶灰化等目的。

目前,在半导体器件制造工艺中,特别是在用大园片投片进行研制和生产小、中、大规模集成电路中,用等离子去胶代替常规化学溶剂去胶及湿氧、高温干氧去胶,已显示出大的优越性。该工艺不仅操作简单,成本低,去胶速率高,基片温度低,表面清洁,不碎片,可节约大量的化学溶剂,消除丙酮、酸雾及废酸带来的环境污染,同时去胶完后,不用丙酮棉花对硅片表面拭胶。因而,可大幅度提高管芯成品率及器件可靠性。PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料。PlasmaSTAR®系统拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。其中较典型的等离子处理工艺包括：▪ 等离子预处理▪ 光刻胶去胶▪ 表面处理▪ 各向异性和各向同性蚀刻▪ 故障分析应用▪ 材料改性▪ 封装清洗▪ 钝化层刻蚀▪ 聚酰胺刻蚀▪ 促进粘合▪ 生物医学应用▪ 聚合反应▪ 混合清洗▪ 预键合清洗 PlasmaSTAR®系列等离子处理系统设计独特且多样化。其功能包括用于操作台面上，占地面积小，或层流安装，以及用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。 PlasmaSTAR®系列等离子处理系统用于研究、工艺开发和批量生产。 PlasmaSTAR®系统可轻松集成到自动化生产线和系统中。 该系统基于模块化设计理念，可适应各种PCB的尺寸。此设计适用于任何尺寸的基片。 PlasmaSTAR®系统提供多个电极模块，如LF（KHz）或13.56（MHz）的射频电源以及自动匹配网络。根据不同的等离子处理工艺选择不同的电极模块。 基本系统PlasmaSTAR®通用基本系统包括必需的阀门、真空泵浦、射频电源、射频匹配器、工艺气体控制和系统控制。这些配置组合提供了一套全自动化等离子处理系统。通用基本系统可容纳不同的腔室和电极模块，这些模块可轻松放入其中。该系统可快速从一款普通的圆柱形等离子体处理系统转换为一款用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极系统或是带支架的混合等离子清洗系统。 腔室/电极PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝。 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。 等离子体源该系统可选配LF（KHz）或13.56（MHz）射频电源以及自动匹配网络。 真空泵浦系统该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油（惰性泵油），适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器（MFC）的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。 电脑控制触摸屏电脑控制，提供无线程序存储。多步骤工艺简单易存。实时显示工艺条件。 该控制系统易于编程。 工艺处理可用条形码读取（选配）。 规格PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（宽）x 850（深）x 525（高）mm；重量：约150 Kg。PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,033（宽）x 850（深）x 635（高）mm；重量：约220 Kg。

反应离子刻蚀系统RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干法蚀刻的一种方式，其原理是当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，对真空度，气体流量，离子加速电压等进行调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。　　我司提供多种型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。台式RIE刻蚀机(Benchtop Reactive Ion Etching System)深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System)

The next generation Magnetron Sputtering Deposition system, is practical, inexpensive, expandable and highly reliable, ushering in the future of research.The Magnetron Sputtering System is completely customizable. The chamber can be designed to accept additional evaporation sources, and unused ports are blocked off with flanges to allow future additions.Additions can include Magnetron Guns, a Thermal Resistance source or Electron Beam Evaporation. Torr International can produce any custom system you desire. Call to discuss the functionality you require and a system will be designed to fit your process, your budget, and your future.Electro Polished Stainless Steel Chamber (D shaped Box)4” Diameter View Port on Front Door with Manual ShutterSingle/Multiple Magnetron Gun Assemblies with Various Target SizesManual Shutter Assembly for All SourcesDC / RF Sputtering DepositionTurbo Molecular Vacuum Pumping System with Matching Dual Stage Rotary Vane PumpQuartz Crystal Thickness Sensor with Deposition ControllerMass Flow Controller with Digital ReadoutFull Range Vacuum Gauge with Display & ReadoutEasy Target MountingSemi-Automatic Controlled System

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学的气相沉积PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促使反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。应用领域原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）2） 微电子机械系统（MEMS）3） 光电子材料和器件4） 集成电路互连线扩散阻挡层5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）6） 互连线势垒层7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）8） DRAM、MRAM介电层9） 嵌入式电容10） 电磁记录磁头11） 各类薄膜（<100nm）半导体领域晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光（TFEL）元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。纳米技术领域中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。

干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。两束相干光间光程差的任何变化会非常灵敏地导致干涉条纹的移动，而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起，所以通过干涉条纹的移动变化可测量几何长度或折射率的微小改变量，从而测得与此有关的其他物理量。测量精度决定于测量光程差的精度，干涉条纹每移动一个条纹间距，光程差就改变一个波长(～10-7米)，所以干涉仪是以光波波长为单位测量光程差的，其测量精度之高是任何其他测量方法所无法比拟的。特点：1 、非接触式测量：避免物件受损。2 、三维表面测量：表面高度测量范围为 2nm ---500μm。3 、多重视野镜片：方便物镜的快速切换。4 、纳米级分辨率：垂直分辨率可以达0.1nm。5 、高速数字信号处理器：实现测量仅需几秒钟。6 、扫描仪：闭环控制系统。7 、工作台：气动装置、抗震、抗压。8 、测量软件：基于windows 操作系统的用户界面，强大而快速的运算。应用领域：聚合物和抗蚀剂表征、化学测量、电介质特性、生物医学、半导体、硬质涂层、光学涂层、非金属薄膜等。

光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜，如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时，深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然，如果必须确定光学常数，则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置，如波长分辨率，角度范围等，将根据所需的应用进行考虑。光谱椭偏仪特征：•基于Window软件，易于操作；•先进的光学设计，实现最佳系统性能；•高功率DUV-VIS-NIR光源，适用于宽带应用；•基于阵列的探测器系统，确保快速测量；•用户可以根据需要定义任意数量的图层；•能够用于实时或在线厚度，折射率监测；•系统配有全面的光学常数数据库；•高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表，色散或有效介质近似（EMA）；•三种不同的用户级别控制：工程师模式，系统服务模式和简易用户模式；•灵活的工程模式，适用于各种配方设置和光学模型测试；•强大的一键式按钮解决方案，用于快速和常规测量；•可按照用户偏好配置测量参数，操作简便；•系统全自动校准和初始化；•直接从样品信号获得精确的样品对齐接口，无需外部光学元件；•精确的高度和倾斜程度调整；•适用于许多不同类型的不同厚度的基材；•各种选项，附件可用于特殊配置，如绘图阶段，波长扩展，焦点等；•2D和3D输出图形以及用户数据管理界面；光谱椭偏仪应用：•半导体制造（PR，氧化物，氮化物......）•液晶显示器（ITO，PR，Cell gap ......）•法医学，生物学材料•油墨，矿物学，颜料，调色剂•制药，医疗器械•光学涂层，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......•半导体化合物•MEMS / MOEMS中的功能薄膜•无定形，纳米和硅晶圆•太阳能电池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....光谱椭偏仪技术参数：型号 SE200 (DUV-Vis)  SE300 (Vis)  SE450 (Vis-Nir)  SE500 (DUV-Vis-Nir) 探测器类型CCD或CMOS阵列CCD或CMOS阵列CCD或CMOS和InGaAs阵列CCD或CMOS和InGaAs阵列波长范围（nm）190至1100370至1100370-1700190-1700波长点测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义（数据点仅受分辨率限制）波长分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.01至3nm0.01至3nm数据采集时间100毫秒到10秒，用户自定义入射角范围20至90度入射角分辨率带手动测角仪的5度预设步骤，用于SExxx-BM配置;程序控制0.001度分辨率，配有自动测角仪，适用于SExxx-BA配置偏光光学旋转偏振器，分析器和/或补偿器的组合光束尺寸准直光束，光束尺寸可在1至5mm范围内调节光圈; 可选的聚焦光束模式（可拆卸）可用于减小光斑尺寸光源（D2 + TH）/氙THTH（D2 + TH）/氙灯泡寿命4000小时10000小时10000小时4000小时可测量的厚度范围高达30μm20nm至50μm20nm至50μm高达50μm厚度精度<1Å或0.1％索引精度优于0.0001厚度准确度优于0.25％

实验室压片机也叫热压机，液压机，嵌样机等，英文名是Laboratory press , embedding sample machine，标准压片机选项包含双柱和四柱，台面式和落地式，以及手动和自动压片机，其压力容量从12至100吨，Auto系列自动压片机包含了界面友好的微处理器控制和智能安全保障，包含相关配件，自动控制，电动AutoPak动力用以升级手动压片机。产品应用适用于冶金、矿山、化工、商检、水泥等行业实验室粉体物料压制成片状为 X 光谱分析仪进行成份分析。其他应用：组合模塑、压缩模塑、粉碎、封装、挤压、成型、嵌入挤压、生产溴化钾用于红外光谱测量、金属成型、夹物模压、油品提取、造粒、样品制备、粘结成型、分离冷油、传递模塑、橡胶平板硫化等根据您的实际应用选择一款适合的压片机1、如果需要一个通用实验室压片机或一个专用的特殊应用。普通的------------------（自动台式压机；帝王液压实验室压片机；热压机；标准压片机）特殊的------------------（压实密度仪；E系列电动压片机）2、确定吨位（合模力），台式或落地式台式 12-30吨位----------------（自动台式压机；热压机‍；标准压片机；压实密度仪‍）落地式 30-100吨位-------------（帝王液压实验室压片机；E系列电动压片机）3、确定是否对压板加热落地式加热型------------------（帝王液压实验室压片机；E系列电动压片机）台式加热型---------------------（自动台式压机；热压机）台式非加热型-------------------（自动台式压机；标准压片机）4、确定手动或自动手动--------------（热压机；标准压片机‍；压实密度仪）自动--------------（自动台式压机；帝王液压实验室压片机；压实密度仪；E系列电动压片机）5、定制型：除已上出现的压片机以外，如有特殊要求，请点击此处与我们联系。

制样机广泛应用于塑料、有机玻璃、玻璃钢、碳纤维等非金属材料的各种试验用标准样条的制备。工作过程中，使用者可以根据生产要求，通过对制样机机口进行调整，生产符合需求的制样产品。

探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。

用Wire Bonder(引线键合机)进行键合后的芯片，其焊点可能会出现位置偏移、断线和线尾(Pigtail)过长等缺陷.

Ossila注射器泵（也称为注射器驱动器）通过电机驱动注射器活塞，以指定的速率移动固定体积的溶液，输送/去除特定量溶液。根据注射器的内径和电机移动的距离，可计算出溶液移动的体积和速率。特点•高精度、可连续传输液体，范围从nl/s到ml/s；•设计简单，适应尺寸从5μl到50ml的注射器；•流量范围广泛，从1nl.s-1到3ml.s-1；•高度的用户灵活性 - 在输液和退液模式下均可操作；•每个注射泵可单独编程，一次性可编制20个不同的程序，每个程序包含多达100个独立的操作步骤，流量，速度和时间均可控；•对于双注射器型号，每个都可以独立操作 - 例如，同时，一个可以处于输液模式，另一个处于退液模式；或者一个使用，另一个不使用。 产品应用 技术参数每次循环行程：1mm；每个循环的步数：200；每一步的行程：5μm；每一步的微步数：64；每一微步的行程：78nm；最小流速：12μm/s；最大流速：5ml/s；最大线性力：500N。*最大速度可能超过此值，这取决于溶液粘度，注射器直径，管/针的直径和管/针的长度。 注射泵的结构图 

二氧化碳干冰清洗系统简单易操作，它们是由CO2源，一个带内孔的喷嘴，一个开/关阀，和一个将CO2从源头输送到喷嘴的装置组成。一个标准的系统，包括一个气瓶配件、管道、开/关gun或阀门和喷嘴。这些单元均由PTFE柔性材质的不锈钢钢制软管制成。可用的开/关控制包括电磁阀、气动阀、手动阀，或手枪。优势：•可去除所有大小的颗粒，从可见到3-5纳米的颗粒•可以去除碳氢化合物污染和有机残留物•无磨损、无残留、无化学废物– 环保型 应用领域：•从金属，陶瓷，聚合物和玻璃中去除污染•从Si，InP和GaAs晶片中去除颗粒和污点•清洁光学器件，即涂层透镜，激光，IR和UV光学器件•表面分析前（Auger，XPS，SIMS）和AFM的样品制备•一般的实验室，生产间和洁净室的清洁•基片制备•许多金属和陶瓷组件的制造•清洁真空系统部件，波纹管，电子和离子光学器件•去除微电子和混合电路中的微粒•艺术品清洁•清洁望远镜镜片…...可用于半导体，磁盘驱动器，真空技术，表面分析，光学，医学，分析仪器，金属，陶瓷，望远镜，艺术修复，火损修复等众多关键和非关键清洁应用养护

切膜机/切膜仪是一款用于实验室的手动切膜系统。大部分的免疫测定条都可以轻易切割，包括含有担体或非担体硝酸纤维膜及带有标签材料的尼龙膜。Matrix 1201切膜机/切膜仪是用于蛋白质印迹（Western Blot）及其类似应用的理想切膜设备。切膜机/切膜仪具有一体式的结构，切膜系统方便快速清洗或调整切条宽度。根据我们具体开发定制型生产系统的经验，Matrix 1201切膜机/切膜仪满足对高速、精密公差生产型切膜刀/切割器的需要。

检测显微镜（Detection microscope）是用于检测各项材料微观形貌以及对各材料需要检测的部位进行微观测量的一款显微镜。应用领域•航天•汽车•电子产品•聚合物/塑料•珠宝首饰/制表•法医科学•冶金/精密工程•医疗设备

光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。在紫外光等光照或辐射下，溶解度会发生变化的薄膜材料。AZ 4562正性厚光刻胶，具有最佳粘附力，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有最佳粘附力，广泛应用于半导体行业。AZ 5214这种特殊的光刻胶用于需要负壁轮廓的剥离技术（lift-of工艺）。由酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮化物作为光敏化合物（PAC）组成的正性光致抗蚀剂，它们也可反转成负胶，从而产生的掩模。SU-8 2000系列环氧型树脂的负性光刻胶，SU-8 2000化学放大，i线抗蚀剂非常适合制造永久性器件结构。这些负色调，环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低的杨氏模量，使其成为制造微/纳米结构的理想选择，如悬臂，膜和微通道。SU-8 3000系列已被配制用于改进的粘合性和降低的涂层应力。它被用于需要高结合强度和改进的微结构制造柔性的地方，用于微流控/MEMS微纳工艺，大大提高了与基板的粘合性。mr-NIL210有机可光固化的NIL抗蚀剂，具有出色的干法刻蚀特性。它具有出色的固化和纳米压印性能，特别适用于使用软印模材料（例如PDMS）的软NIL。mr-I T85热塑性NIL抵抗剂，基于非极性环烯烃共聚物（TOPAS）的T-NIL抗蚀剂（Tg = 85°C）。SU8胶配套显影液、去胶液、去边胶SU-8 Dev、Remover PG去胶、EBR-PG 去边胶、ZX-238型正胶显影液AZ胶配套显影液AZ300MIF-薄AZ系列光刻胶的显影液      AZ400K-厚AZ系列光刻胶的显影液        电子束胶PMMA/MMA950k 495k     50-5000nm    分辨率<10nm   粘附性好，适用于电子束光刻，多层T-Gate剥离、晶圆减薄；ma-N 2400                         0.1um-1um    分辨率50 nm    电子束和深紫外灵敏；抗干刻、湿刻性能；胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；紫外光刻负胶-lift-off工艺ROL-7133      2.2-4um      分辨率4um       制作金属电极或导线，倒角75-80度，粘附性好，可使用普通正胶显影液；SUN-1300     7-18um       分辨率4um       对比度高、分辨率高、附着性佳、易于去除；   

perovskite precursors – ammoniumsalts钙钛矿/前驱体- 铵盐材料IODIDES 碘化物Acetamidiniumiodide乙脒鎓碘化物Benzylammoniumiodide苄基碘化铵iso-Butylammoniumiodide异丁基碘化铵n-Butylammoniumiodide正丁基碘化铵t-Butylammoniumiodide叔丁基碘化铵Diethylammoniumiodide碘化二乙基铵Dimethylammoniumiodide二甲基碘化铵Ethylammoniumiodide乙基碘化铵Formamidiniumiodide甲脒碘化物Guanidiniumiodide碘化胍Imidazoliumiodide咪唑碘化物Methylammoniumiodide甲基碘化铵Phenethylammoniumiodide苯乙基碘化铵Phenylammoniumiodide苯基铵碘化物iso-Propylammoniumiodide异丙基碘化铵n-Propylammoniumiodide正丙基碘化铵Pyrrolidiniumiodide吡咯烷鎓碘化物n-Octanylammoniumiodide   正辛基碘化铵Bromides溴化物Benzylammoniumbromide苄基溴化铵iso-Butylammoniumbromide异丁基溴化铵n-Butylammoniumbromide正丁基溴化铵t-Butylammoniumbromide叔丁基溴化铵Diethylammoniumbromide溴化二乙基铵Dimethylammoniumbromide溴化二甲铵Ethylammoniumbromide乙基溴化铵Formamidiniumbromide甲脒溴化物Guanidiniumbromide胍溴化物Imidazoliumbromide咪唑溴化物Methylammoniumbromide甲基溴化铵Phenethylammoniumbromide苯乙基溴化铵Phenylammoniumbromide苯基溴化铵iso-Propylammoniumbromide异丙基溴化铵n-Propylammoniumbromide正丙基溴化铵n-Octanylammoniumbromide正辛基溴化铵Diammonium磷酸氢二铵1,4-Benzenediammonium iodide1,4-苯二碘化铵Ethane1,2 diammonium bromide乙烷1,2二铵溴化物Ethane1,2 diammonium iodide乙烷1,2-二碘化铵Propane1,3 diammonium bromide丙烷1,3-二溴化铵Propane1,3 diammonium iodide丙烷1,3-二碘化铵PSEUDOHALIDES   类卤化物Formamidiniumhexafluorophosphate甲脒六氟磷酸盐Formamidiniumtetrafluoroborate四氟硼酸。Formamidiniumthiocyanate硫氰酸脒Methylammoniumhexafluorophosphate六氟磷酸甲基铵Methylammoniumtetrafluoroborate四氟硼酸甲基铵Methylammoniumthiocyanate硫氰酸甲酯SPIRO - AMMONIUM   螺铵5-Azaspiro[4.4]nonan-5-iumiodide5-氮杂螺[4.4]壬烷-5-鎓碘化物5-Azaspiro[4.4]nonan-5-iumchloride5-氮杂螺[4.4]壬烷-5-氯化物5-Azaspiro[4.4]nonan-5-iumbromide5-氮杂螺[4.4]壬烷-5-溴化物CHLORIDES氯化物 n-Octanylammoniumchloride正辛基氯化铵HOLE TRANSPORT MATERIALDOPANTS& COBALT COMPLEXES 空穴传输材料, 掺杂物 & 钴配合物FK102 Co(II) PF6 SaltFK102 Co(II) TFSI SaltFK102 Co(III) PF6 SaltFK102 Co(III) TFSI SaltFK209 Co(II) PF6 saltFK209 Co(II) TFSI saltFK209 Co(III) PF6 saltFK209 Co(III) TFSI saltFK269 Co(II) PF6 saltFK269 Co(II) TFSI saltFK269 Co(III) PF6 saltFK269 Co(III) TFSI saltH101TITANIA & PLATINUM PASTES二氧化钛膏&铂膏BL-1Blocking LayerMPT-2018NR-AOActive Opaque Titania PasteCELSCounter Electrode Solution30NR-DWER2-OReflector Titania PastePT1Platinum Paste90-TTransparent Titania Paste (Thin Use)18NR-TTransparent Titania PasteDYES& SENSITIZERS染料&光敏剂C106Dye C106染料K19Dye K19染料N3Foundation Dye N3基础染料N719Industry Standard Dye N719行业标准染料N749Black Dye N749黑色染料Z907Hydrophobic Dye Z907疏水性染料ELECTROLYTES&COMPONENTS电解质/电解液   原材料EthylIsopropyl Sulfone 乙基异丙基砜EL-HPEHigh Performance Electrolyte EL-HPE高性能电解液EL-HSEHigh Stability Electrolyte EL-HSE高稳定性电解液EL-HTEHigh Temperature ElectrolyteEL-HTE高温电解液UltraHigh Stability Electrolyte 超高稳定性电解液LIGANTS& INTERMEDIATES 配体/配基材料&中间分子材料4-Bromo-N,N-bis(4-iodophenyl)aniline溴-N，N-二（4-碘苯基）苯胺C101Ligand C101配体C106Ligand C106的配体1-Chloro-2,4-bis(hexyloxy)benzene1-chloro-2,4-bis（己氧基）苯DCBPAnchoring Ligand   DCBP锚定配体DMBPBuilding Block Ligand 配体的积木DNBPHydrophobic Ligand DNBP疏水配体FK102 Ligand FK 102配体FK209 Ligand FK 209配体FK269 Ligand FK 269配体K19Ligand K19配体TCBABlack Dye Ligand   tcba黑色染料配体4-bromo-N,N-bis(4-methoxyphenyl)aniline溴-N，N-二（4-甲氧基苯基）苯胺4-(tert-butyl)-2-chloropyridine4（叔丁基）-吡啶4-(tert-butyl)pyridine-N-oxide4（叔丁基）吡啶-N-氧化物ADDITIVES MODIFIERS 添加剂材料/改性剂材料5-AVAI5-AVAB5-AVACGlass suBstrates 玻璃基板TEC15Glass Plates TEC15玻璃板TEC7Glass Plates TEC7玻璃板TEC8Glass Plates TEC8玻璃板PlatinumCoated Test Cell Counter Electrodes with Fill Hole镀铂测试电池相对电极与填充孔TiO2Coated Test Cell Glass Electrodes (Opaque) TiO2涂层测试电池玻璃电极（不透明）TiO2Coated Test Cell Glass Electrodes (Transparent) TiO2涂层测试电池玻璃电极（透明）SEALANTS密封剂TwoPart Thermal Cure Epoxy Compound - Clear 双组分热固化环氧化合物- 透明TwoPart Thermal Cure Epoxy Compound - Opaque 双组分热固化环氧化合物- 不透明AluminiumThermoplastic Laminate 铝热塑性复合材料HighTemperature Thermoplastic Sealant 高温热塑性密封胶LowTemperature Thermoplastic Sealant 低温热塑性密封胶TwoPart Hermetic Sealing Compound 两部分密封复合物TwoPart Interconnect Polymer 双部件互连聚合物TwoPart Neutral Assembly Polymer 两部件中性组件聚合物

石墨化碳布、碳纱、碳纤维物。具有良好的缝纫性能，并可制作各种厚度的成品复合材料。纤维表面有许多突出特性。该纤维具有高跨层的抗拉强度和层间剪切强度，不起皱的轮廓结构是细纱织物的另一个优点。材料进行真空石墨化过程和低温浸泡，导致在一个非常热稳定和化学纯织物低氧化率。碳织物包括低成本碳、碳材料是有效化学气相渗透或预浸工艺中必备的。

我们提供各种直径，各种等级，多种规格，多种基底材料的晶圆片产品，尤其着重于直径100毫米, 200毫米, 300毫米的生产级与测试级质量的晶圆片。由于每个半导体设计都有其特殊规格, 我们可根据您的要求制作各种规格的晶圆片。一、按级别可分为光刻级晶圆片，测试级晶圆片，低阻晶圆片，外延晶片（EPI），机械级晶圆片，炉管级晶圆片，再生晶圆片和一般级晶圆片。二、按直径可分为50mm,76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,300mm。详情请见三、其他晶圆片：超平硅晶圆片、浮区晶圆片（FZ)、绝缘晶圆片、双面抛光晶圆片。